FGPF15N60UNDF, IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-220F - характеристики, поставщики

FGPF15N60UNDF, IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-220F

Последняя цена 220 руб.

FGPF15N60UNDF, IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-220F

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGPF15N60UNDF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231181

Технические параметры

Производитель

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220F

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-220F

Base Product Number

FGPF1 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 В

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Power Dissipation

42 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Switching Speed

1МГц

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Длина

10.36мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

16.07мм

Число контактов

3

Размеры

10.36 x 2.74 x 16.07мм

Скорость переключения

1МГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

30A

Current - Collector Pulsed (Icm)

45A

Gate Charge

43nC

Power - Max

42W

Switching Energy

370ВµJ (on), 67ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

9.3ns/54.8ns

Test Condition

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V

Тип канала

N

Reverse Recovery Time (trr)

82.4ns

Максимальная рабочая температура

+150 °C

IGBT Type

NPT

Ширина

2.74мм

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V @ 15V,15A

Product Type

NPT

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Maximum DC Collector Current

30A

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

8.5V @ 15mA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 444 КБ
Datasheet , pdf , 441 КБ