FGHL50T65SQ, IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 560 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS4TIGBT 50A 650V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGHL50T65SQ

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231177

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Base Product Number

FGHL50 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-247-3

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

650 В

Maximum Continuous Collector Current

100 А

Maximum Power Dissipation

268 Вт

Pin Count

Dimensions

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное рассеяние мощности

268 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

100A

Current - Collector Pulsed (Icm)

200A

Gate Charge

99nC

Power - Max

268W

Switching Energy

410ВµJ (on), 88ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

19ns/93ns

Test Condition

400V, 25A, 4.7Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Количество транзисторов

Number of Transistors

Pd - рассеивание мощности

268 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

100 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

100 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

400 nA

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Технология

Техническая документация

Datasheet FGHL50T65SQ , pdf , 378 КБ
Datasheet FGHL50T65SQ , pdf , 375 КБ
Datasheet FGHL50T65SQ , pdf , 295 КБ

FGHL50T65SQ, IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 560 руб.

Техническая документация