ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGH80N60FDTU, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGH80N60FDTU, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGH80N60FDTU, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
480 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGH80N60FDTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1231174
Технические параметры
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
ON Semiconductor
Package Type
TO-247
Base Product Number
FGH80 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.6mm
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
80 A
Maximum Power Dissipation
290 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.7mm
Height
20.6mm
Pin Count
3
Dimensions
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 А
Максимальное рассеяние мощности
290 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 C
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
Gate Charge
120nC
Power - Max
290W
Switching Energy
1mJ (on), 520ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
21ns/126ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
36ns
Максимальная рабочая температура
+150 C
IGBT Type
Field Stop
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
FGH80N60FD , pdf
, 319 КБ
Datasheet FGH80N60FDTU , pdf
, 389 КБ