FGH80N60FD2TU, IGBT - характеристики, поставщики

FGH80N60FD2TU, IGBT

Последняя цена 620 руб.

FGH80N60FD2TU, IGBT

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGH80N60FD2TU

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231173

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.6mm

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Power Dissipation

290 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.7mm

Height

20.6mm

Pin Count

3

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

N

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное рассеяние мощности

290 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 C

Число контактов

3

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

N

Максимальная рабочая температура

+150 C

Страна происхождения

CN

Вид монтажа:

Through Hole

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+150 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер:

20 V

Минимальная рабочая температура:

-55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

600 V

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:

80 A

Подкатегория:

IGBTs

Производитель:

onsemi

Размер фабричной упаковки:

450

Серия:

FGH80N60FD2

Технология:

Si

Тип продукта:

IGBT Transistors

Торговая марка:

onsemi/Fairchild

Упаковка / блок:

TO-247-3

Упаковка:

Tube

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet FGH80N60FD2TU , pdf , 404 КБ
Datasheet FGH80N60FD2TU , pdf , 195 КБ