FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 810 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

IGBT Trench Field Stop 650V 200A 375W сквозное отверстие TO-247-4L

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGH75T65SQDNL4

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231170

Технические параметры

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-247

Base Product Number

FGH75 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-247-4L

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.8мм

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

650 В

Maximum Power Dissipation

375 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

22.74mm

Dimensions

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Switching Speed

1МГц

Channel Type

Gate Capacitance

5100pF

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 A

Номинальная энергия

160µJ

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Current - Collector (Ic) (Max)

200A

Current - Collector Pulsed (Icm)

200A

Gate Charge

152nC

Power - Max

375W

Switching Energy

1.25mJ (on), 1.26mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

44ns/208ns

Test Condition

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Reverse Recovery Time (trr)

134ns

IGBT Type

Trench Field Stop

Ширина

5.2мм

Number of Transistors

Техническая документация

Datasheet FGH75T65SQDNL4 , pdf , 433 КБ

FGH75T65SQDNL4, P-Channel IGBT, 200 A 650 V, 4-Pin TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 810 руб.

Техническая документация