ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGH40N65UFDTU, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGH40N65UFDTU, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGH40N65UFDTU, IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247
Последняя цена
620 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGH40N65UFDTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1231162
Технические параметры
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
ON Semiconductor
Base Product Number
FGH40 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
15.6мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное рассеяние мощности
290 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.6мм
Число контактов
3
Размеры
15.6 x 4.7 x 20.6мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
80A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
Gate Charge
120nC
Power - Max
290W
Switching Energy
1.19mJ (on), 460ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
24ns/112ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
45ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
Field Stop
Ширина
4.7
Конфигурация
Single
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
80 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
450
Тип продукта
IGBT Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247AB-3
Серия
FGH40N65UFD
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet FGH40N65UFDTU , pdf
, 722 КБ
Datasheet FGH40N65UFDTU , pdf
, 478 КБ