ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGD3245G2-F085, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.13 В, 150 Вт, 450 В, TO-252AA, 3 вывод(-ов) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
FGD3245G2-F085, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.13 В, 150 Вт, 450 В, TO-252AA…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGD3245G2-F085, БТИЗ транзистор, 23 А, 1.13 В, 150 Вт, 450 В, TO-252AA, 3 вывод(-ов)
Последняя цена
370 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
FGD3245G2-F085
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1231085
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
175 C
Вес, г
0.2
DC Ток Коллектора
23А
Напряжение Коллектор-Эмиттер
450В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.13В
Рассеиваемая Мощность
150Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252AA
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Линейка Продукции
ecospark-2 series
Техническая документация
Datasheet FGD3245G2-F085 , pdf
, 1113 КБ