FGB7N60UNDF, IGBT, 14 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 50 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7A NPT IGBT

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FGB7N60UNDF

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1231078

Технические параметры

Производитель

ON Semiconductor

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

10.67мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

14 A

Максимальное рассеяние мощности

83 Вт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

4.83мм

Число контактов

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

9.65мм

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

83 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.1 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

14 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

800

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 10 uA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-263AB-3

Серия

FGB7N60UNDF

Технология

Техническая документация

Datasheet FGB7N60UNDF , pdf , 364 КБ

FGB7N60UNDF, IGBT, 14 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263) - характеристики, поставщики

Последняя цена 50 руб.

Техническая документация