ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGAF40N60UFTU, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGAF40N60UFTU, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGAF40N60UFTU, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF
Последняя цена
510 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGAF40N60UFTU
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1231072
Технические параметры
Brand
ON Semiconductor
Package Type
TO-3PF
Base Product Number
FGAF4 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-3PF
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.5mm
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.5mm
Height
26.5mm
Pin Count
3
Dimensions
15.5 x 5.5 x 26.5mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Длина
15.5мм
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
26.5mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
Gate Charge
77nC
Power - Max
100W
Switching Energy
470ВµJ (on), 130ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
15ns/65ns
Test Condition
300V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
5.7 mm
Конфигурация
Single
Pd - рассеивание мощности
100 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
40 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
360
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-3PF-3
Другие названия товара №
FGAF40N60UFTU_NL
Серия
FGAF40N60UF
Технология
Si
Техническая документация
Datasheet FGAF40N60UFTU , pdf
, 406 КБ
Datasheet FGAF40N60UFTU , pdf
, 389 КБ
Datasheet FGAF40N60UFTU , pdf
, 404 КБ