EL

FF8MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 150 А, 1.2 кВ, 0.0075 Ом, Module - характеристики, поставщики

FF8MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 150 А, 1.2 кВ, 0.0075 Ом, Module

Последняя цена 39110 руб.
FF8MR12W2M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 150 А, 1.2 кВ, 0.0075 Ом, Module
Техническая документация
  • Datasheet FF8MR12W2M1PB11BPSA1 , pdf , 460 КБ
  • Datasheet FF8MR12W2M1PB11BPSA1 , pdf , 437 КБ