ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FF200R12KT3, Модуль - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FF200R12KT3, Модуль
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FF200R12KT3, Модуль
Последняя цена
12530 руб.
Сравнить
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FF200R12KT3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1809887
Технические параметры
Длина
106.4 mm
Минимальная рабочая температура
40 C
Высота
30.9 mm
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Максимальная рабочая температура
+ 125 C
Ширина
61.4 mm
Конфигурация
Dual
Вес, г
340
Вид монтажа
Chassis Mount
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
295 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
10
Тип продукта
IGBT Modules
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tray
Упаковка / блок
62 mm
Другие названия товара №
FF200R12KT3HOSA1 SP000100789
Продукт
IGBT Silicon Modules
Техническая документация
Datasheet FF200R12KT3 , pdf
, 618 КБ
