FF11MR12W1M1B11BOMA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18870 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

4 В, устойчивость к короткому замыканию
• Повышение эффективности и снижение затрат на охлаждение
• Значительное снижение температуры перехода для увеличения срока службы и повышения надежности
• Обеспечивает работу на более высоких частотах для снижения стоимости системы и усадки
• Двухуровневые топологии могут заменить трехуровневые с такой же эффективностью для меньшей сложности и стоимости
• Позволяет увеличить удельную мощность, простоту проектирования и реализации
• Отлично подходит для топологий жесткого переключения и резонансного переключения, таких как LLC и ZVS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2409110

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Series

CoolSiCв„ў+ ->

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

FF11MR12 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 15V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7950pF @ 800V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 15V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 40mA

FET Feature

Silicon Carbide (SiC)

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

20 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

11 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Press Fit

Время нарастания

16.5 ns

Время спада

28 ns

Другие названия товара №

FF11MR12W1M1_B11 SP001602204

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Коммерческое обозначение

CoolSiC ~ EasyDUAL ~ PressFIT

Конфигурация

Dual

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

CoolSiC Module

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

64.5 ns

Типичное время задержки при включении

25 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

Module

Продукт

Power MOSFET Modules

Тип

EasyDUAL Module

Упаковка

Tray

Vr - обратное напряжение

1200 V

Vf - прямое напряжение

4 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 82 КБ
Datasheet FF11MR12W1M1B11BOMA1 , pdf , 453 КБ

FF11MR12W1M1B11BOMA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray - характеристики, поставщики

Последняя цена 18870 руб.

Техническая документация