FDY302NZ, Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523FL T/R, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 7.1 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDY302NZ

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2083217

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

600 mA

Package Type

SOT-523 (SC-89)

Максимальное рассеяние мощности

0.625 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

0.98мм

Высота

0.78мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Brand

ON Semiconductor

Series

PowerTrenchВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-12 В, +12 В

Base Product Number

FDY30 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

600mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-89, SOT-490

Power Dissipation (Max)

625mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 600mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-89-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

600 mA

Pd - рассеивание мощности

625 mW

Qg - заряд затвора

800 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

300 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

8 ns

Время спада

2.4 ns

Длина

1.7мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.8 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

PowerTrench

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

8 нс

Типичное время задержки при включении

6 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-523-3

Продукт

MOSFET

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Размеры

1.7 x 0.98 x 0.78мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

0,8 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

60 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

625 мВт

Maximum Drain Source Voltage

20 В

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

Datasheet FDY302NZ , pdf , 380 КБ
Datasheet FDY302NZ , pdf , 380 КБ
Datasheet FDY302NZ , pdf , 378 КБ

FDY302NZ, Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523FL T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 7.1 руб.

Техническая документация