FDY300NZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 600мА, 625мВт, SOT523, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDY300NZ

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2180336

Технические параметры

Вес, г

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Ширина

0.98мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

PowerTrench

Длина

1.7мм

Высота

0.78мм

Размеры

1.7 x 0.98 x 0.78мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

600 mA

Максимальное рассеяние мощности

0.625 W

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Максимальное сопротивление сток-исток

240 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

60 пФ при 10 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

8 нс

Типичное время задержки включения

6 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

0,8 нКл при 4,5 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

600mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

625mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDY300NZ , pdf , 366 КБ
Datasheet FDY300NZ , pdf , 380 КБ

FDY300NZ, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 600мА, 625мВт, SOT523 - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация