FDT439N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 6,3А, 3Вт, SOT223, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDT439N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2115499

Технические параметры

Вес, г

0.14

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.6mm

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-223

Width

3.56mm

Pin Count

3 + Tab

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

6.3 A

Maximum Power Dissipation

3 W

Maximum Drain Source Resistance

72 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

10.7 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Техническая документация

Datasheet FDT439N , pdf , 305 КБ

FDT439N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 6,3А, 3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация