ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS6898AZ, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 9.4 А, 0.014 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
FDS6898AZ, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 9.4 А, 0.014 Ом, SOI…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS6898AZ, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 9.4 А, 0.014 Ом, SOIC, Surface Mount
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
FDS6898AZ
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1230227
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
9.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.014Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
1В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet FDS6898AZ , pdf
, 175 КБ