FDS6699S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 21А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 30V N-Ch PowerTrench SyncFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS6699S

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2180436

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Ширина

3.9 mm

Конфигурация

Single Quad Drain Triple Source

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FDS6699S

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

4.9 mm

Высота

1.75 mm

Id - непрерывный ток утечки

21 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SO-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.6 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

12 ns

Время спада

38 ns

Коммерческое обозначение

PowerTrench SyncFET

Типичное время задержки выключения

73 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Другие названия товара №

FDS6699S_NL

Техническая документация

Datasheet FDS6699S , pdf , 1204 КБ

FDS6699S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 21А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация