FDS4470, Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12,5А; 2,5Вт; SO8, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

• Высокопроизводительная технология Trench для чрезвычайно низкого RDS (ON)
• Высокая мощность и способность выдерживать ток
• Низкий заряд затвора 45 нК

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS4470

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087715

Технические параметры

Вес, г

0.1

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

12.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDS4470 , pdf , 244 КБ
Datasheet , pdf , 259 КБ

FDS4470, Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12,5А; 2,5Вт; SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация