ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDPF18N50T, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDPF18N50T, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDPF18N50T, Транзистор
Последняя цена
340 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 500V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDPF18N50T
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808144
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Максимальное рассеяние мощности
38,5 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.9мм
Высота
16.07мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
265 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.36мм
Серия
UniFET
Типичное время задержки выключения
95 ns
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
55 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
45 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2200 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FDPF18N50T , pdf
, 1605 КБ
