FDP12N60NZ, MOSFET, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDP12N60NZ

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1230141

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

12 А

Максимальное рассеяние мощности

240 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Series

UniFET-IIв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

650 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FDP12 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1676pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

240W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

240 W

Qg - заряд затвора

26 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

530 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

50 ns

Время спада

60 ns

Длина

10.67мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

UniFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

13.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

UniFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

80 нс

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

26 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1260 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Техническая документация

Datasheet FDP12N60NZ , pdf , 753 КБ

FDP12N60NZ, MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация