ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDP090N10,транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 75A TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDP090N10,транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 75A TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDP090N10,транзистор, MOSFET N-CHANNEL 100V 75A TO220AB
Последняя цена
470 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDP090N10,транзистор
P/N
FDP090N10
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816845
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
ON Semiconductor
Series
PowerTrench
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
89 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Power Dissipation
208 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Height
16.51mm
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N