ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDMC7660, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench® - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDMC7660, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8, PowerTr…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
FDMC7660, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench®
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDMC7660
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1230029
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.3mm
Brand
ON Semiconductor
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
3.3 mm
Height
1.05mm
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Dimensions
3.3 x 3.3 x 1.05mm
Конфигурация
Single
Channel Type
N
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Transistor Configuration
Single
Package Type
Power 33
Width
3.3mm
Pin Count
8
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
FDMC7660
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Длина
3.3 mm
Высота
0.8 mm
Id - непрерывный ток утечки
20 A
Pd - рассеивание мощности
2.3 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
163 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
Power-33-8
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.6 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.7 V
Канальный режим
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Power Dissipation
41 W
Series
PowerTrench
Maximum Drain Source Resistance
3.3 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
54 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time
14 ns
Typical Turn-Off Delay Time
36 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
3630 pF@ 15 V
Qg - заряд затвора
54 nC
Время нарастания
6.8 ns
Время спада
5.7 ns
Коммерческое обозначение
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
36 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Техническая документация
Datasheet FDMC7660 , pdf
, 330 КБ