ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDM3622, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDM3622, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDM3622, Транзистор
Последняя цена
250 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 100V N-Ch PowerTrench МОП-транзистор
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FDM3622
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818871
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.5
Ширина
3.3 mm
Высота
0.8 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
4.4 A
Pd - рассеивание мощности
2.1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
44 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
26 ns
Длина
3.3 mm
Другие названия товара №
FDM3622_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
UltraFET
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
FDM3622
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
35 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
Power-33-8
Тип
MOSFET
Техническая документация
Datasheet FDM3622 , pdf
, 345 КБ
