FDH44N50, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 44А, 750Вт, TO247, UniFET™, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 452 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDH44N50

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2335259

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.02

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.87мм

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.82мм

Maximum Drain Source Voltage

500 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-247

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Серия

UniFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

15.87мм

Высота

20.82мм

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Id - непрерывный ток утечки

44 A

Pd - рассеивание мощности

750 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

11 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FDH44 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

44 А

Максимальное рассеяние мощности

750 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

5335 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

44A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5335pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

750W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 22A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

44 A

Maximum Power Dissipation

750 W

Series

UniFET

Transistor Material

Кремний

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Время нарастания

84 ns

Время спада

79 ns

Типичное время задержки выключения

45 ns

Типичное время задержки при включении

16 ns

Типичное время задержки включения

16 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

90 nC @ 10 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Прямая активная межэлектродная проводимость

11S

Прямое напряжение диода

1.2V

Техническая документация

Datasheet FDH44N50 , pdf , 346 КБ
Datasheet FDH44N50 , pdf , 696 КБ
Datasheet FDH44N50 , pdf , 709 КБ

FDH44N50, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 44А, 750Вт, TO247, UniFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 452 руб.

Техническая документация