ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDD8N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 6.5 А, 0.77 Ом, TO-252 (DPAK) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
FDD8N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 6.5 А, 0.77 Ом, T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDD8N50NZTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 6.5 А, 0.77 Ом, TO-252 (DPAK)
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
FDD8N50NZTM
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1229925
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252(DPAK)
Рассеиваемая Мощность
90Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
6.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.77Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5В
Вес, г
0.4
Линейка Продукции
UniFET II Series
Техническая документация
Datasheet FDD8N50NZTM , pdf
, 718 КБ