ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDD770N15A, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 150 В, 0.061 Ом, 10 В, 4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
FDD770N15A, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 150 В, 0.061 Ом, 10 В, 4 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDD770N15A, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 150 В, 0.061 Ом, 10 В, 4 В
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
FDD770N15A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1229910
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
56.8Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
150В
Непрерывный Ток Стока
18А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.061Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Вес, г
0.4
Линейка Продукции
PowerTrench Series
Техническая документация
Datasheet FDD770N15A , pdf
, 872 КБ