FDD6690A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 46А, 56Вт, DPAK, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD6690A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2136752

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.55

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73мм

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

6.22 mm

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.22мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

PowerTrench

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39мм

Id - непрерывный ток утечки

46 A

Pd - рассеивание мощности

3.3 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

47 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FDD669 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-PAK (TO-252AA)

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

12 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Ta), 46A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

Power Dissipation (Max)

3.3W (Ta), 56W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 12A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

46 А

Maximum Power Dissipation

56 W

Series

PowerTrenchВ® ->

Maximum Drain Source Resistance

19 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

13 nC @ 5 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Время нарастания

7 ns

Время спада

12 ns

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

29 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Другие названия товара №

FDD6690A_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V

Техническая документация

Datasheet FDD6690A , pdf , 353 КБ
Datasheet FDD6690A , pdf , 353 КБ
Datasheet FDD6690A , pdf , 336 КБ

FDD6690A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 46А, 56Вт, DPAK, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация