FDD5690 транзистор, N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, от 20 А до 59,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD5690 транзистор

P/N

FDD5690

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1813041

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Transistor Material

Length

6.73mm

Brand

ON Semiconductor

Series

PowerTrench

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 30 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Power Dissipation

50 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.22mm

Height

2.39mm

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet FDD5690 , pdf , 402 КБ

FDD5690 транзистор, N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация