FDD5670, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 52А, 83Вт, DPAK, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 60V N-Ch PowerTrench

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD5670

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2178485

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.39

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FDD5670

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

52 A

Pd - рассеивание мощности

83 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

27 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

12 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

12 ns

Время спада

24 ns

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Другие названия товара №

FDD5670_NL

Техническая документация

Datasheet FDD5670 , pdf , 353 КБ

FDD5670, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 52А, 83Вт, DPAK, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация