FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,5А, 40Вт, DPAK, UniFET™, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор UNIFET2 500V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD3N50NZTM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2134223

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.05

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FDD3N50NZ

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

2.5 A

Pd - рассеивание мощности

40 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.9 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.1 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

6.2 nC

Время нарастания

15 ns

Время спада

17 ns

Типичное время задержки выключения

26 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Техническая документация

Datasheet FDD3N50NZTM , pdf , 717 КБ
Datasheet FDD3N50NZTM , pdf , 718 КБ

FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,5А, 40Вт, DPAK, UniFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация