FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD120AN15A0

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2117363

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.47

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Ширина

6.22мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

PowerTrench

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73мм

Высота

2.39мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

65 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

14 A

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

282 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

770 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

16 ns

Время спада

19 ns

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки при включении

6 ns

Типичное время задержки включения

6 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

11,2 нКл при 10 В

Другие названия товара №

FDD120AN15A0_NL

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

14A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

65W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDD120AN15A0 , pdf , 759 КБ
Datasheet FDD120AN15A0 , pdf , 771 КБ
Datasheet , pdf , 776 КБ

FDD120AN15A0, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 14А, 65Вт, DPAK, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация