FDC637BNZ, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 6.2 А, 0.021 Ом, SuperSOT, Surface Mount, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

• Высокая скорость переключения
• Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON)
• Изготовлено из экологически чистого упаковочного материала
• Не содержит галогенов
• Типичный уровень защиты HBM ESD 2 кВ
• Типичный низкий заряд затвора 8 нК

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDC637BNZ

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2410234

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SuperSOT

Рассеиваемая Мощность

1.6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

6.2А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.021Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

800мВ

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Ширина

1.6 mm

Высота

1.1 mm

Series

PowerTrenchВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

FDC637 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6.2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

895pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Power Dissipation (Max)

1.6W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SuperSOTв„ў-6

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

6.2 A

Pd - рассеивание мощности

1.6 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

24 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

12 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6 ns

Время спада

6 ns

Длина

2.9 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single Quad Drain

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FDC637BNZ

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

22 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SSOT-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6.2A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.6W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDC637BNZ , pdf , 458 КБ
Datasheet FDC637BNZ , pdf , 475 КБ
Datasheet FDC637BNZ , pdf , 473 КБ
Datasheet FDC637BNZ , pdf , 416 КБ

FDC637BNZ, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 6.2 А, 0.021 Ом, SuperSOT, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация