FDB52N20TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 52А, 357Вт, D2PAK, UniFET™, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor
Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB52N20TM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2180435

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.73

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

9.98mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

9.65 mm

Height

4.572mm

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

D2PAK (TO-263)

Width

10.16mm

Pin Count

Packaging

Tape & Reel (TR)

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

800

Серия

FDB52N20

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.67 mm

Высота

4.83 mm

Id - непрерывный ток утечки

52 A

Pd - рассеивание мощности

250 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

35 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Package / Case

TO-263-3

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

49 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Maximum Power Dissipation

357 W

Series

UniFET

Maximum Drain Source Resistance

49 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Qg - заряд затвора

63 nC

Время нарастания

160 ns

Время спада

150 ns

Типичное время задержки выключения

150 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Manufacturer

ON Semiconductor

Техническая документация

Datasheet FDB52N20TM , pdf , 419 КБ
Datasheet FDB52N20TM , pdf , 528 КБ

FDB52N20TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 52А, 357Вт, D2PAK, UniFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация