FDB2614, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 62А, 260Вт, D2PAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 660 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB2614

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2195630

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.67mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Channel Type

Transistor Configuration

Single

Package Type

D2PAK (TO-263)

Width

11.33mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

62 A

Maximum Power Dissipation

260 W

Series

PowerTrench

Maximum Drain Source Resistance

27 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet FDB2614 , pdf , 1087 КБ

FDB2614, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 62А, 260Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 660 руб.

Техническая документация