ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDB2572, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDB2572, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDB2572, Транзистор
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, от 20 А до 59,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDB2572
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1818341
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.67mm
Brand
ON Semiconductor
Series
PowerTrench
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Power Dissipation
135 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
11.33mm
Height
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
146 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet FDB2572 , pdf
, 407 КБ
Datasheet , pdf
, 406 КБ
