FDB2532, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 56А, 310Вт, D2PAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 540 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Автомобильный N-канальный МОП-транзистор, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи автомобильного рынка, тщательно соблюдая стандарты качества, безопасности и надежности.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB2532

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2176165

Технические параметры

Вес, г

1.8

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Ширина

11.33мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

PowerTrench

Длина

10.67мм

Высота

4.83мм

Размеры

10.67 x 11.33 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

79 A

Максимальное рассеяние мощности

310 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

48 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

5870 пФ при 25 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

39 нс

Типичное время задержки включения

16 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

82 нКл при 10 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

310W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDB2532 , pdf , 1145 КБ

FDB2532, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 56А, 310Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 540 руб.

Техническая документация