FDB13AN06A0, Транзистор MOSFET N-CH 60В 10.9A/62A D2PAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 420 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-Channel PowerTrench

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB13AN06A0

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808189

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.7

Ширина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

62 A

Pd - рассеивание мощности

115 W

Qg - заряд затвора

29 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

11.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

96 ns

Время спада

26 ns

Длина

10.67 mm

Другие названия товара №

FDB13AN06A0_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

FDB13AN06A0

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

44 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-263-3

Тип

MOSFET

Техническая документация

Datasheet FDB13AN06A0 , pdf , 1118 КБ

FDB13AN06A0, Транзистор MOSFET N-CH 60В 10.9A/62A D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 420 руб.

Техническая документация