FDB035N10A транзистор, N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB035N10A транзистор

P/N

FDB035N10A

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1741184

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

120 A

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,5 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

37 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

22 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

89 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

5485 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet FDB035N10A , pdf , 671 КБ
Datasheet FDB035N10A , pdf , 673 КБ
Datasheet , pdf , 670 КБ

FDB035N10A транзистор, N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация