FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 670 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 500V 16.5A NCH

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDA16N50-F109

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2081240

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

450

Серия

FDA16N50_F109

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

16.2 mm

Высота

20.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

16.5 A

Pd - рассеивание мощности

205 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FDA16 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

380 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

16.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

205W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 8.3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

UniFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

45 nC

Время нарастания

150 ns

Время спада

80 ns

Коммерческое обозначение

UniFET

Типичное время задержки выключения

65 ns

Типичное время задержки при включении

40 ns

Другие названия товара №

FDA16N50_F109

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FDA16N50-F109 , pdf , 1705 КБ

FDA16N50-F109, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,9А; Idm: 66А; 205Вт; TO3PN - характеристики, поставщики

Последняя цена 670 руб.

Техническая документация