ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCP190N65F, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FCP190N65F, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FCP190N65F, Транзистор
Последняя цена
540 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild добавила семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов SuperFET® II с использованием технологии Super Junction. Он обеспечивает лучшую в своем классе производительность корпусных диодов в импульсных источниках питания переменного и постоянного тока (SMPS), таких как серверы, телекоммуникации, вычислительная техника, промышленные источники питания, ИБП / ESS, солнечные инверторы, осветительные приборы, которые требуют высокой плотности мощности. , эффективность и надежность системы.
Используя передовую технологию балансировки заряда, разработчики достигают более эффективных, экономичных и высокопроизводительных решений, которые занимают меньше места на плате и повышают надежность.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FCP190N65F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1819285
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7
Высота
16.3мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
168 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.67мм
Серия
SuperFET II
Типичное время задержки выключения
62 ns
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.67 x 4.7 x 16.3мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
25 ns
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
60 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2425 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 485 КБ
