FCD5N60TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 2,9А, 54Вт, DPAK, SuperFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

16 нКл)
• Низкая эффективная выходная емкость (Coss.eff = 32 пФ)
• 100% лавинные испытания

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FCD5N60TM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2184079

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.01

Ширина

6.22 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FCD5N60

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73 mm

Высота

2.39 mm

Id - непрерывный ток утечки

4.6 A

Pd - рассеивание мощности

54 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

3.8 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

810 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

16 nC

Время нарастания

40 ns

Время спада

22 ns

Коммерческое обозначение

SuperFET

Типичное время задержки выключения

47 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 430 КБ
Datasheet , pdf , 428 КБ
Datasheet FCD5N60TM , pdf , 414 КБ

FCD5N60TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 2,9А, 54Вт, DPAK, SuperFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация