F423MR12W1M1B11BOMA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17760 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

F423MR12W1M1B11BOMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2409297

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

50А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0225Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

MOSFET Configuration

Full Bridge

Линейка Продукции

EasyPACK Series

Минимальная рабочая температура

40 C

Base Product Number

F423MR12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

Supplier Device Package

AG-EASY1BM-2

Power - Max

0.2W

Id - непрерывный ток утечки

50 A

Pd - рассеивание мощности

20 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

22.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V, 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.45 V

Вид монтажа

Screw Mount

Время нарастания

8.4 ns

Время спада

11.5 ns

Другие названия товара №

F4-23MR12W1M1_B11 SP001710600

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Коммерческое обозначение

CoolSiC ~ EasyPACK ~ PressFIT

Конфигурация

Fourpack

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Серия

CoolSiC Module

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Типичное время задержки выключения

49.4 ns

Типичное время задержки при включении

14.3 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

AG-EASY1BM-2

Продукт

Power MOSFET Modules

Тип

CoolSiC MOSFET

Упаковка

Tray

Vr - обратное напряжение

1200 V

Vf - прямое напряжение

4.6 V at 50 A

Configuration

Full Bridge

Current - Collector (Ic) (Max)

50A

IGBT Type

Trench

Input

Standard

NTC Thermistor

Yes

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Input Capacitance (Cies) @ Vce

3.68nF @ 800V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 82 КБ
Datasheet F423MR12W1M1B11BOMA1 , pdf , 501 КБ
Datasheet F423MR12W1M1B11BOMA1 , pdf , 478 КБ

F423MR12W1M1B11BOMA1, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray - характеристики, поставщики

Последняя цена 17760 руб.

Техническая документация