ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
F3L75R07W2E3B11BOMA1, , EASY2B , N-Channel Series IGBT Module, 95 A max, 650 V, PCB Mount - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
F3L75R07W2E3B11BOMA1, , EASY2B , N-Channel Series IGBT Module, 95 A ma…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
F3L75R07W2E3B11BOMA1, , EASY2B , N-Channel Series IGBT Module, 95 A max, 650 V, PCB Mount
Последняя цена
5260 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT
Infineon
предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц.
IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
F3L75R07W2E3B11BOMA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1227752
Технические параметры
Brand
Infineon
Package Type
EASY2B
Base Product Number
F3L75R07 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Монтаж на печатную плату
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C
Package
Bulk
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
Module
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
56.7мм
Transistor Configuration
Серия
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Continuous Collector Current
95 А
Maximum Power Dissipation
250 Вт
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
48мм
Pin Count
27
Dimensions
56.7 x 48 x 12mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Высота
12мм
Current - Collector (Ic) (Max)
95A
Power - Max
250W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Максимальная рабочая температура
150 C
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Серия
Вес, г
50
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.6nF @ 25V
NTC Thermistor
Yes
DC Ток Коллектора
75А
IGBT Configuration
Three level Inverter
IGBT Technology
IGBT 3(Trench/Field Stop)
IGBT Termination
Press Fit
Максимальная Температура Перехода Tj
150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.45В
Полярность Транзистора
N Канал
Рассеиваемая Мощность
250Вт
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Техническая документация
Datasheet F3L75R07W2E3B11BOMA1 , pdf
, 817 КБ