EMZ7T2R, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 12 В, 500 мА, 150 мВт, 270 hFE, EMT, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 12V 500MA

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

EMZ7T2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1214534

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Стиль Корпуса Транзистора

EMT

Рассеиваемая Мощность

150мВт

Полярность Транзистора

NPN, PNP

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.5 mm

Длина

1.6 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

15 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

500 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Серия

EMZ7

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

EMT-6

Ширина

1.2 mm

Другие названия товара №

EMZ7

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

680

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

320 MHz, 260 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

90 mV, - 100 mV

Техническая документация

Datasheet EMZ7T2R , pdf , 1703 КБ

EMZ7T2R, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 12 В, 500 мА, 150 мВт, 270 hFE, EMT - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация