EMX52T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 120 hFE, SOT-563, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN+NPN Driver Transistor

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

EMX52T2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1214531

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50В

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-563

Рассеиваемая Мощность

150мВт

Полярность Транзистора

Двойной NPN

DC Ток Коллектора

100мА

DC Усиление Тока hFE

120hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.05

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

120

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-563-6

Другие названия товара №

EMX52

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

560 at 1 mA at 6 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

350 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

100 mV

Техническая документация

Datasheet EMX52T2R , pdf , 1305 КБ
Datasheet , pdf , 1531 КБ

EMX52T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 120 hFE, SOT-563 - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.

Техническая документация