EMX18T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 12 В, 500 мА, 150 мВт, 270 hFE, SOT-563, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 69 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT DUAL NPN 12V 500MA

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

EMX18T2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1214528

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-563

Рассеиваемая Мощность

150мВт

Полярность Транзистора

Двойной NPN

DC Ток Коллектора

500мА

DC Усиление Тока hFE

270hFE

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.5

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.5 mm

Длина

1.6 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

15 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

12 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Серия

EMX18

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

EMT-6

Ширина

1.2 mm

Другие названия товара №

EMX18

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

270 at 10 mA, 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

320 MHz

Технология

Техническая документация

Datasheet EMX18T2R , pdf , 1355 КБ

EMX18T2R, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 12 В, 500 мА, 150 мВт, 270 hFE, SOT-563 - характеристики, поставщики

Последняя цена 69 руб.

Техническая документация