EMH4FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 75 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN+NPN

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

EMH4FHAT2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1214359

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

6 Выводов

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Полярность Транзистора

NPN

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

SOT-563

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Dual

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-563-6

Другие названия товара №

EMH4FHA

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

600

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

300 mV

Резистор На входе Базы R1

10кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Полярность Цифрового Транзистора

Двойной NPN

Техническая документация

Datasheet EMH4FHAT2R , pdf , 1059 КБ
Datasheet EMH4FHAT2R , pdf , 1062 КБ

EMH4FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 10 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 75 руб.

Техническая документация