ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
EMH10T2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Rohm
EMH10T2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
EMH10T2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм
Последняя цена
87 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 100MA
Информация
Производитель
Rohm
Артикул
EMH10T2R
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1214356
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Количество Выводов
6 Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Полярность Транзистора
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.5
Корпус РЧ Транзистора
SOT-563
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.5 mm
Длина
1.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
8000
Серия
EMH10
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ROHM Semiconductor
Упаковка / блок
EMT-6
Ширина
1.2 mm
Другие названия товара №
EMH10
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
Резистор На входе Базы R1
2.2кОм
Непрерывный Коллекторный Ток Ic
100мА
Резистор База-эмиттер R2
47кОм
Полярность Цифрового Транзистора
Двойной NPN
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
21
Техническая документация
Datasheet EMH10T2R , pdf
, 832 КБ