EMD6FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 70 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярные транзисторы - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

EMD6FHAT2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1214321

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

6 Выводов

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в

Полярность Транзистора

NPN, PNP

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.001

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

SOT-563

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Dual

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-563-6

Другие названия товара №

EMD6FHA

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

600

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

300 mV

Резистор На входе Базы R1

4.7кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

100мА

Полярность Цифрового Транзистора

NPN и PNP

Техническая документация

Datasheet EMD6FHAT2R , pdf , 1616 КБ
Datasheet EMD6FHAT2R , pdf , 1611 КБ

EMD6FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 70 руб.

Техническая документация