EMB3FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP+PNP

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

EMB3FHAT2R

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1214276

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

6 Выводов

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-50В

Полярность Транзистора

PNP

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.001

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

Корпус РЧ Транзистора

SOT-563

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100

Конфигурация

Dual

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

8000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-563-6

Другие названия товара №

EMB3FHA

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

600

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

300 V

Резистор На входе Базы R1

4.7кОм

Непрерывный Коллекторный Ток Ic

-100мА

Полярность Цифрового Транзистора

Двойной PNP

Техническая документация

Datasheet EMB3FHAT2R , pdf , 1004 КБ
Datasheet EMB3FHAT2R , pdf , 1008 КБ

EMB3FHAT2R, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Двойной PNP, -50 В, -100 мА, 4.7 кОм - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация